Transistor BJT BU508AFI ST

Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/involucro: SOT-93-3
Polarità transistor: NPN
Configurazione: Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max: 700 V
Tensione emettitore-base VEBO: 10 V
Corrente CC massima collettore: 8 A
Prodotto guadagno-larghezza di banda fT: 7 MHz
Temperatura di lavoro minima: - 65 C
Temperatura di lavoro massima: + 150 C
Serie: BU508AF

Altezza: 14.9 mm Lunghezza: 16.2 mm Larghezza: 5.65 mm
Marchio: STMicroelectronics
Corrente continua collettore: 8 A
Pd - Dissipazione di potenza: 50 W